v 最小线宽≤8nm    光栅周期≤40nm

v 拼接精度：

100μm写场下，拼接精度≤20nm【mean】+3sigma

500μm写场下，拼接精度≤30nm【mean】+3sigma

v 套刻精度：

100μm写场下，拼接精度≤20nm【mean】+3sigma

500μm写场下，拼接精度≤25nm【mean】+3sigma

v 束电流稳定性＜0.2%/h   束位置稳定性＜120nm/8h

v 50KV加速电压下，写场可在0.5μm~500μm的范围内连续可调

v 肖特基热场发射电子束源，最高加速电压≥50kv，束电流范围至少为50pA~40nA，最大束电流≥40nA

v 图像发生器扫描频率≥50MHz，20bit分辨率，最小步距为0.5nm

v 通用样品架可承载散片，4inch以下的衬底，4inch专用晶圆专用样品架，6inch专用晶圆专用样品架，多样品专用样品架